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氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應(yīng)用|埃登威自動(dòng)化系統(tǒng)設(shè)備（上海）有限公司

氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應(yīng)用

在單晶硅的制備過程中，氬氣作為保護(hù)氣體被廣泛應(yīng)用。然而，氬氣中的氧含量問題對拉晶過程產(chǎn)生了一定的影響。本文將重點(diǎn)探討氬氣中氧含量高對拉晶的影響，以及ADEV氧分析儀在解決這一問題中的應(yīng)用。

首先，讓我們深入了解氬氣中氧含量高對拉晶的具體影響。氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應(yīng)用

一、氬氣中氧含量對拉晶的影響

  1. 硅片電化學(xué)性能的變化：氧在硅片中主要以氧團(tuán)簇和氧沉淀的形式存在。這些氧團(tuán)簇和氧沉淀會(huì)導(dǎo)致硅片的電阻率發(fā)生變化，從而影響其電學(xué)性能。對于N型樣品，氧的存在會(huì)導(dǎo)致電阻率下降；而對于P型樣品，氧的存在會(huì)導(dǎo)致電阻率增加。這些變化會(huì)影響硅片的徑向電阻率的均勻性，使得電阻率熱穩(wěn)定性變差，*終影響到成品率。
  2. 少數(shù)載流子壽命的降低：氧與硅中的載流子相互作用，可能通過與空位結(jié)合形成微缺陷，從而影響載流子的傳輸和壽命。這對于微電子集成電路和功率半導(dǎo)體器件的性能來說，具有重要的影響。氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應(yīng)用

二、ADEV氧分析儀的應(yīng)用

ADEV便攜式微量氧含量分析儀G9600是專門設(shè)計(jì)用于檢測高純氣體或混合氣體中的微量氧氣濃度含量的儀器。它可以應(yīng)用于對惰性氣體、碳?xì)錃怏w、He、H2、CO2中的氧含量進(jìn)行10ppb-10000ppm的分析。G9600微量氧分析儀具有以下特點(diǎn)：

  1. 高精度測量：其精度達(dá)到了<1%滿量程，確保了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
  2. 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能：可存儲(chǔ)10000個(gè)數(shù)據(jù)，方便用戶對數(shù)據(jù)進(jìn)行管理和分析。
  3. 中英文界面：提供中英文界面選擇，適應(yīng)不同用戶的需求。
  4. 多種輸出方式：包括RS485輸出，方便與其他設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。
  5. 快速恢復(fù)時(shí)間：在空氣中暴露60秒鐘后，用氮?dú)饣謴?fù)至10ppm的時(shí)間僅需20分鐘，確保了連續(xù)測量的能力。
  6. 響應(yīng)時(shí)間快：90%滿量程的響應(yīng)時(shí)間為10秒，能夠迅速捕捉到氧氣濃度的變化。
  7. 長壽命傳感器：傳感器壽命長達(dá)24個(gè)月，為長時(shí)間連續(xù)測量提供了保障。
  8. 溫度范圍廣：可在0-45℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行測量，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
  9. 內(nèi)置泵選項(xiàng)：可選內(nèi)置泵，方便樣氣的抽取和測量。氬氣中氧含量高對拉晶的影響及ADEV氧分析儀的應(yīng)用

三、結(jié)論

氬氣中氧含量過高對拉晶過程產(chǎn)生了不可忽視的影響，從電化學(xué)性能的變化到少數(shù)載流子壽命的降低，都直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。而ADEV氧分析儀G9600的應(yīng)用為解決這一問題提供了有效的工具。通過準(zhǔn)確測量氬氣中的氧氣濃度，及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，可以確保硅片的電學(xué)性能和成品率達(dá)到*佳狀態(tài)。隨著科技的不斷發(fā)展，相信ADEV氧分析儀在未來的單晶硅制備過程中將發(fā)揮更加重要的作用。

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